Infineon DF160R12W2H3F_B11 SiC IGBT 모듈 1200 V, 160 A 부스터 IGBT 모듈

Name: Infineon DF160R12W2H3F_B11 SiC IGBT 모듈 1200 V, 160 A 부스터 IGBT 모듈
Brand: Infineon

ModelDF160R12W2H3F_B11

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Technology: SiC

Unit Weight: 36 g

REACH - SVHC: Details

Configuration: Quad

Mounting Style: Press Fit

Pd - Power Dissipation: 20 mW

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V

Continuous Collector Current at 25 C: 20 A

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