Infineon FD16001200R17HP4B2BOSA2 IGBTs
ModelFD16001200R17HP4B2BOSA2
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IGBT Technology: IGBT 4
IGBT Termination: Stud
Power Dissipation: 10.5
IGBT Configuration: Dual, Brake-Ch
Transistor Mounting: Screw Mount
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 150 °C
Continuous Collector Current: 1.6
Collector Emitter Voltage Max: 1.7
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.9
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