Infineon FF1200R17KP4_B2 IGBT 모듈 IGBT 1700V 1200A
ModelFF1200R17KP4_B2
문의하기
안전한 결제
품질 보장
간편 교환 및 반품
배송 가능
Technology: Si
Unit Weight: 1 kg
Configuration: Dual
Pd - Power Dissipation: 1.4 MW
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 1.2 kA
빠른 지원
인증된 전문가에게 직접 연결