Infineon FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 하프 브리지 CoolSiC MOSFET 하프 브리지 모듈 1200 V
ModelFF4MR12W2M1HPB11BPSA1
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Technology: Si
Configuration: Dual
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 23 V
Id - Continuous Drain Current: 170 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.15 V
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