Infineon FF600R17ME4 IGBT 실리콘 모듈 1700 V, 600 A 듀얼 IGBT 모듈

Name: Infineon FF600R17ME4 IGBT 실리콘 모듈 1700 V, 600 A 듀얼 IGBT 모듈
Brand: Infineon

ModelFF600R17ME4

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Technology: Si

Unit Weight: 345 g

REACH - SVHC: Details

Configuration: Dual

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V

Continuous Collector Current at 25 C: 950 A

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