Infineon FS770R08A6P2BBPSA1 하이브리드 IGBT 모듈 HYBRID PACK DRIVE G1 SI

Name: Infineon FS770R08A6P2BBPSA1 하이브리드 IGBT 모듈 HYBRID PACK DRIVE G1 SI
Brand: Infineon

ModelFS770R08A6P2BBPSA1

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Technology: Si

Unit Weight: 605 g

Configuration: 6-Pack

Mounting Style: SMD/SMT

Pd - Power Dissipation: 654 W

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Maximum Operating Temperature: + 125 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 750 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.1 V

Continuous Collector Current at 25 C: 450 A

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