Infineon FZ1000R33HE3 IGBT 모듈 IGBT 3300V 1000A
ModelFZ1000R33HE3
문의하기
안전한 결제
품질 보장
간편 교환 및 반품
배송 가능
Technology: Si
Unit Weight: 800 g
Configuration: Single
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3.3 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.55 V
Continuous Collector Current at 25 C: 1 kA
빠른 지원
인증된 전문가에게 직접 연결