InterFET IFN112 JFET JFET N-채널 -50V 저소음
ModelIFN112
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.2 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 9 mA
Forward Transconductance - Min: 7 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 50 V
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