InterFET U311 JFET JFET N-채널 -25V 저소음
ModelU311
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Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 60 mA
Forward Transconductance - Min: 1000 uS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
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