IXYS ITF48IF1200HR IGBT 트랜지스터 디스크 IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
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ModelITF48IF1200HR
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Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 390 W
Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 72 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.05 V
Continuous Collector Current at 25 C: 72 A
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