IXYS IXBK64N250 IGBT 트랜지스터 BIMOSFET 2500V 75A
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ModelIXBK64N250
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Technology: Si
Unit Weight: 6.400 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 753 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 2.5 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
Continuous Collector Current at 25 C: 156 A
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