IXYS IXFN210N20P HiperFET 188 암페어 200V 0.0105 Rds
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ModelIXFN210N20P
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Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.07 kW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 188 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
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