IXYS IXGA4N100 IGBT 트랜지스터 8암페어 1000V 2.7 Rds
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ModelIXGA4N100
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Width: 9.65 mm
Height: 4.83 mm
Length: 10.29 mm
Technology: Si
Unit Weight: 1.600 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 8 A
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