IXYS IXGH85N30C3 IGBT 트랜지스터 85암페어 300V
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ModelIXGH85N30C3
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Width: 5.3 mm
Height: 21.46 mm
Length: 16.26 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6.500 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
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