IXYS IXGK50N60C2D1 IGBT 트랜지스터 50암페어 600V 2.5V Rds
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ModelIXGK50N60C2D1
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Width: 5.13 mm
Height: 26.16 mm
Length: 19.96 mm
Technology: Si
Unit Weight: 10 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Continuous Collector Current: 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
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