IXYS IXGN50N120C3H1 IGBT 모듈 고주파 범위 >40kHz CIGBT 다이오드 포함
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ModelIXGN50N120C3H1
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Width: 25.42 mm
Height: 12.22 mm
Length: 38.23 mm
Technology: Si
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 460 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current at 25 C: 95 A
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