IXYS IXSN50N60BD3 IGBT 트랜지스터 75암페어 600V 2.5 Rds
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ModelIXSN50N60BD3
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Width: 25.42 mm
Height: 9.6 mm
Length: 38.23 mm
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
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