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IXYS IXTH32P20T MOSFETs TrenchP 파워 MOSFET

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ModelIXTH32P20T

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Technology: Si

Unit Weight: 6 g

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: P-Channel

Id - Continuous Drain Current: 32 A

Rds On - Drain-Source Resistance: 130 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V

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