IXYS MCB40P1200LB-TUB 하프 브리지 모듈 SiC MOSFET 페이즐 25mO SMPD-B
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ModelMCB40P1200LB-TUB
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Technology: SiC
Unit Weight: 10 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 58 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
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