IXYS MIXA300PF1200TSF IGBT 모듈 XPT IGBT 모듈
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ModelMIXA300PF1200TSF
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Technology: Si
Unit Weight: 350 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Half Bridge
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 1.5 kW
Gate-Emitter Leakage Current: 300 uA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 465 A
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