IXYS MIXA40W1200TED IGBT 모듈 식스팩 XPT IGBT
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ModelMIXA40W1200TED
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Technology: Si
Unit Weight: 180 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: 6-Pack
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 195 W
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
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