IXYS MIXA80WB1200TEH IGBT 모듈 식스 팩 SPT IGBT
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ModelMIXA80WB1200TEH
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Width: 62 mm
Height: 17 mm
Length: 122 mm
Technology: Si
Unit Weight: 300 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: 3-Phase Inverter
Pd - Power Dissipation: 390 W
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 120 A
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