IXYS MMIX1X200N60B3H1 IGBT 트랜지스터 SMPD 전력 장치
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ModelMMIX1X200N60B3H1
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Technology: Si
Unit Weight: 8 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 520 W
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 175 A
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