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MACOM CG2H80120D-GP4 GaN FETs GaN HEMT 베어 다이 28V DC-8.0GHz 120W | EMIN.VN

GaN FET
MACOM CG2H80120D-GP4 GaN FETs GaN HEMT 베어 다이 28V DC-8.0GHz 120W

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MACOM CG2H80120D-GP4 GaN FETs GaN HEMT 베어 다이 28V DC-8.0GHz 120W

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Technology: GaN

Output Power: 120 W

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Type: GaN HEMT

Transistor Polarity: N-Channel

Maximum Operating Frequency: 8 GHz

Minimum Operating Frequency: 0 Hz

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