onsemi NXH200T120H3Q2F2SG 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET 및 모듈
ModelNXH200T120H3Q2F2SG
문의하기
안전한 결제
품질 보장
간편 교환 및 반품
배송 가능
IGBT Technology: IGBT [Trench/F
IGBT Termination: Solder
Power Dissipation: 679
IGBT Configuration: Three Level In
Transistor Mounting: Through Hole
Transistor Case Style: Module
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Collector Current: 330
Collector Emitter Voltage Max: 1.2
Collector Emitter Saturation Voltage: 1.86
빠른 지원
인증된 전문가에게 직접 연결