onsemi NXH80B120H2Q0SG SiC IGBT 모듈 PIM 1200V 40A DU BST SiC 다이오드

Name: onsemi NXH80B120H2Q0SG SiC IGBT 모듈 PIM 1200V 40A DU BST SiC 다이오드
Brand: onsemi

ModelNXH80B120H2Q0SG

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Technology: SiC

Configuration: Dual

Mounting Style: Press Fit

Pd - Power Dissipation: 103 W

Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Maximum Operating Temperature: + 125 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V

Continuous Collector Current at 25 C: 40 A

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