Qorvo QPD0020 GaN FETs DC-6 GHz, 3 W, 48V GaN RF 전력 증폭기
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ModelQPD0020
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Gain: 16.7 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 1.430 g
Output Power: 34.7 W
Mounting Style: SMD/SMT
Development Kit: QPD0020EVB02
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Maximum Drain Gate Voltage: 48 V
Maximum Operating Frequency: 6 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 48 V
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