ROHM Semiconductor BA12004DF-ZE2 Darlington 트랜지스터 BA12004DF-Z는 7회로로 구성된 달링턴 트랜지스터 배열로, 베이스 전류를 제한하는 입력 저항과 출력 서지 흡수 클램프 다이오드를 포함합니다.

Configuration: Array 7

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Polarity: NPN

Continuous Collector Current: 500 mA

Maximum Operating Temperature: + 85 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

DC Collector/Base Gain hfe Min: 1000 at 350 mA, 2 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V