ROHM Semiconductor BM63563S-VC 3상 BM63563S-VC는 게이트 드라이버, 부트스트랩 다이오드, IGBT, 플라이휠 다이오드로 구성된 지능형 전력 모듈입니다. 컴프레서와 같은 저속 스위칭 구동(최대 6kHz)에 최적화된 저포화 전압 IGBT가 채용되었습니다. 고속 동작을 검토해 주십시오.

Technology: Si

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 33 W

Maximum Operating Temperature: + 100 C

Minimum Operating Temperature: - 25 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V