ROHM Semiconductor BM63967S-VC 3상 BM63967S-VC는 게이트 드라이버, 부트스트랩 다이오드, IGBT, 플라이휠 다이오드로 구성된 지능형 전력 모듈입니다.

Technology: Si

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 59 W

Maximum Operating Temperature: + 100 C

Minimum Operating Temperature: - 25 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V