ROHM Semiconductor RB088T100NZC9 쇼트키 다이오드 DIODE-SCHOTTKY BARRIER
ModelRB088T100NZC9
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Technology: Si
Configuration: Dual Anode Common Cathode
Mounting Style: Through Hole
If - Forward Current: 10 A
Ir - Reverse Current: 5 uA
Vf - Forward Voltage: 870 mV
Vr - Reverse Voltage: 100 V
Ifsm - Forward Surge Current: 100 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: 110 V
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