Wolfspeed CAB006M12GM3T 하프 브리지 SiC, 모듈, 6mohm, 1200V, 48 mm, GM3, 하프 브리지, 산업용, 3세대, 사전 적용 TIM
ModelCAB006M12GM3T
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Technology: SiC
REACH - SVHC: Details
Configuration: Dual
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Polarity: N-Channel
Vf - Forward Voltage: 4.9 V
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 15 V
Id - Continuous Drain Current: 200 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.6 V
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