For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

BJTs - Bipolar Transistors BC846-Q/SOT23/TO-236AB Nexperia BC846-QR

Technology: Si

Configuration: Single

Qualification: AEC-Q101

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Polarity: NPN

Pd - Power Dissipation: 250 mW

DC Current Gain hFE Max: 450 at 2 mA, 5 V

Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz

Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V

Collector- Base Voltage VCBO: 80 V

Continuous Collector Current: 100 mA

Maximum DC Collector Current: 200 mA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 65 C

DC Collector/Base Gain hfe Min: 110 at 2 mA, 5 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi