Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Type: Power MOSFET
Vgs(th): 2.3 V
Vgs (Max): 20V
Gate Charge (Qg): 2.5nC
Power consumption: 400mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 20V
Continuous drain current: 1A
Input Capacitance (Ciss): 165pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 180mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5|10V
