Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Vgs(th): 0.7V
Vgs (Max): 8V
Gate Charge (Qg): 6.4nC
Power consumption: 290mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 8V
Continuous drain current: 1.4A
Input Capacitance (Ciss): 640pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 100mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8|4.5V
