For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET PANJIT PJQ4413P_R2_00001

Technology: Si

Unit Weight: 30.495 mg

Qg - Gate Charge: 4.8 nC

Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V

Id - Continuous Drain Current: 5.4 A

Rds On - Drain-Source Resistance: 50 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi