Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Fall Time: 2.7 ns, 43 ns
Rise Time: 4.4 ns, 18 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 3.5 nC, 17.2 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 5 ns, 9.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 11 ns, 82 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.5 A, 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 1.7 S, 5 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 44 mOhms, 41 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
