Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 9.35 mm
Height: 4.6 mm
Length: 10.4 mm
Fall Time: 68 ns
Rise Time: 90 ns
Technology: Si
Unit Weight: 4 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel Power MOSFET
Qg - Gate Charge: 172 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 312 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 132 ns
Id - Continuous Drain Current: 110 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 10.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
