For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

JFET N-Ch nối tiếp x2 1.2 đến 14mA 10mA Toshiba 2SK2145-Y(TE85L,F)

Technology: Si

Unit Weight: 16 mg

Configuration: Dual

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 300 mW

Gate-Source Cutoff Voltage: - 1.5 V

Drain-Source Current at Vgs=0: 1.2 mA

Id - Continuous Drain Current: 14 mA

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 30 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 10 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi