GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47 Transphorm TP65H015G5WS
Hãng sản xuất: Transphorm Model: TP65H015G5WS - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0345.689.536
Fall Time: 10 ns
Rise Time: 20 ns
Technology: GaN
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 68 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 276 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 78 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 132 ns
Id - Continuous Drain Current: 95 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 18 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
