For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

SiC MOSFETS WNSC2M45065W/TO247/ĐÁNH DẤU TIÊU CHUẨN * NGANG, ĐÓNG GÓI RAIL WeEn Semiconductors WNSC2M45065W6Q

Technology: SiC

Channel Mode: Enhancement

Mounting Style: Through Hole

Qg - Gate Charge: 87 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 395 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 4 V, + 18 V

Id - Continuous Drain Current: 82 A

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 45 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi