Đăng ký nhận chiết khấu độc quyền, cập nhật giá sỉ và tin sản phẩm mới nhất ngay tại hộp thư của bạn.
Bằng cách đăng ký, bạn đồng ý với Điều khoản dịch vụ và Chính sách bảo mật của chúng tôi.
Kết nối trực tiếp với đội ngũ chuyên gia của chúng tôi
Width: 2.9 mm
Height: 1.08 mm
Length: 2.7 mm
Fall Time: 2.8 ns
Rise Time: 14 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 8.7 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.38 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Typical Turn-On Delay Time: 6 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 18.4 ns
Id - Continuous Drain Current: 5.3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 13 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.25 V
