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Advanced Linear Devices ALD111910SAL MOSFET 双N沟道场效应管 EPAD 匹配对阵列 | EMIN.VN

金属氧化物场效应管
Advanced Linear Devices ALD111910SAL MOSFET 双N沟道场效应管 EPAD 匹配对阵列

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Advanced Linear Devices ALD111910SAL MOSFET 双N沟道场效应管 EPAD 匹配对阵列

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Technology: Si

Unit Weight: 74 mg

Configuration: Dual

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Type: 2 N-Channel

Number of Channels: 2 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

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