人事
公司文化
维修服务
联系我们

制造商招聘

产品介绍
使用说明
分销商
分销商
对于供应商
对于客户
论坛
通知

校准服务
维修服务
设备租赁服务
鉴定服务

© 2011 - 2026 EMIN.VN. 版权所有。

Advanced Semiconductor, Inc. MX0912B351Y 射频双极晶体管 960-1215MHz 增益 7dB NPN | EMIN.VN

射频晶体管
Advanced Semiconductor, Inc. MX0912B351Y 射频双极晶体管 960-1215MHz 增益 7dB NPN

获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知，直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款和隐私政策。

快速支持

直接联系认证专家

Product image

Advanced Semiconductor, Inc. MX0912B351Y 射频双极晶体管 960-1215MHz 增益 7dB NPN

制造商Advanced Semiconductor, Inc.(查看更多该品牌的产品)

ModelMX0912B351Y

联系我们

数量

安全结算

品质保证

轻松更换与退货

支持配送

Technology: Si

相关产品

MACOM DU2860U 射频MOSFET晶体管 Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

MACOM DU2860U 射频MOSFET晶体管 Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

NXP MRFE6VP6600NR3 射频功率MOSFET宽带射频功率LDMOS晶体管，1.8-600 MHz，600 W连续波，50 V

NXP MRFE6VP6600NR3 射频功率MOSFET宽带射频功率LDMOS晶体管，1.8-600 MHz，600 W连续波，50 V

Infineon BFP 620 H7764 射频硅锗射频双极晶体管

Infineon BFP 620 H7764 射频硅锗射频双极晶体管

Advanced Semiconductor, Inc. AGR09180EF 射频MOSFET晶体管 865-895MHz 38瓦增益18.25dB

Advanced Semiconductor, Inc. AGR09180EF 射频MOSFET晶体管 865-895MHz 38瓦增益18.25dB

CML Micro MWT-PH3F73 射频功率MOSFET

CML Micro MWT-PH3F73 射频功率MOSFET

NXP A3T19H455W23SR6 射频功率MOSFET Airfast射频功率LDMOS晶体管，1930-1990 MHz，81 W平均，30 V

NXP A3T19H455W23SR6 射频功率MOSFET Airfast射频功率LDMOS晶体管，1930-1990 MHz，81 W平均，30 V

Advanced Semiconductor, Inc. MRF221 射频双极功率射频晶体管

Advanced Semiconductor, Inc. MRF221 射频双极功率射频晶体管

NXP MW6S010GNR1 射频功率MOSFET HV6 900MHz 10W

NXP MW6S010GNR1 射频功率MOSFET HV6 900MHz 10W

CML Micro MWT-PH7F 射频MOSFET晶体管窄带和宽带高效放大器及振荡器应用

CML Micro MWT-PH7F 射频MOSFET晶体管窄带和宽带高效放大器及振荡器应用

CML Micro MWT-PH28F70 射频功率MOSFET

CML Micro MWT-PH28F70 射频功率MOSFET