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Infineon S25FS512SDSMFV011 NOR Flash 标准 SPI

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ISSI IS46R16160D-6TLA2 SDRAM - DDR 汽车级 (-40 至 +105°C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 针 TSOP-II RoHS

ISSI IS46R16160D-6TLA2 SDRAM - DDR 汽车级 (-40 至 +105°C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 针 TSOP-II RoHS

Microchip Technology SST25VF512A-33-4C-QAE-T NOR闪存 2.7V至3.6V 512Kbit SPI串行闪存

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ABLIC S-93C46CD0I-K8T3U3 EEPROM

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GSI Technology GS8342Q37BGD-300I SigmaQuad-II+ B2 1.8 或 1.5V 1M x 36 36M

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SanDisk SDINBDA6-32G-XA eMMC 闪存驱动器 WD/SD

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Microchip Technology 25LC080CT-H/SN EEPROM 8K，1K X 8，16B 页 2.5V 串行 EE 150C

Microchip Technology 25LC080CT-H/SN EEPROM 8K，1K X 8，16B 页 2.5V 串行 EE 150C

Dialog Semiconductor AT25FF161A-MMUE-T NOR闪存 16 Mbit，宽电压范围 Vcc（1.65V 至 2.1V），-40°C 至 85°C，DFN 5x6（卷带包装），单路、双路、四路 SPI NOR闪存

Dialog Semiconductor AT25FF161A-MMUE-T NOR闪存 16 Mbit，宽电压范围 Vcc（1.65V 至 2.1V），-40°C 至 85°C，DFN 5x6（卷带包装），单路、双路、四路 SPI NOR闪存

Infineon S25FL512SAGBHEA10 NOR Flash A&D

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Microchip Technology 25LC256T-M/MF EEPROM 串行 256K 32K X 8, 2.5V 军用 T

Microchip Technology 25LC256T-M/MF EEPROM 串行 256K 32K X 8, 2.5V 军用 T

Microchip Technology 24FC04HT-I/MUY EEPROM 4Kb I2C，1MHz 1.7-5.5V，8-UDFN，IND 带半阵列写保护

Microchip Technology 24FC04HT-I/MUY EEPROM 4Kb I2C，1MHz 1.7-5.5V，8-UDFN，IND 带半阵列写保护

GSI Technology GS881Z32CGD-250 NBT 流水线/流通 2.5 或 3.3V 256K x 32 8M

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GSI Technology GS816136DGD-375I 管道/流通 2.5 或 3.3V 512K x 36 18M

GSI Technology GS816136DGD-375I 管道/流通 2.5 或 3.3V 512K x 36 18M

Microchip Technology 25AA160C-I/P EEPROM 16K 2K X 8 16B 页 1.8V 串行 EE 工业

Microchip Technology 25AA160C-I/P EEPROM 16K 2K X 8 16B 页 1.8V 串行 EE 工业

SanDisk SDINDDH6-128G-XA 嵌入式闪存驱动器 WD/SD

SanDisk SDINDDH6-128G-XA 嵌入式闪存驱动器 WD/SD

Renesas Electronics 70V3399S133BF8 同步128Kx18标准功率3.3V同步双端口RAM

Renesas Electronics 70V3399S133BF8 同步128Kx18标准功率3.3V同步双端口RAM

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