Infineon F3L400R10W3S7B11BPSA1 SiC IGBT 模块 950 V，400 A 三电平 IGBT 模块

Name: Infineon F3L400R10W3S7B11BPSA1 SiC IGBT 模块 950 V，400 A 三电平 IGBT 模块
Brand: Infineon

ModelF3L400R10W3S7B11BPSA1

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Technology: Si

Configuration: 3-Phase Inverter

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 950 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.4 V

Continuous Collector Current at 25 C: 235 A

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