Infineon FF400R12KT3_E IGBT模块 IGBT 1200V 400A

Name: Infineon FF400R12KT3_E IGBT模块 IGBT 1200V 400A
Brand: Infineon

ModelFF400R12KT3_E

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Technology: Si

Unit Weight: 340 g

Configuration: Dual

Pd - Power Dissipation: 2 kW

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 125 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C: 580 A

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