Infineon FF400R17KE4HOSA1 IGBT 硅模块 1700 V，400 A 双IGBT模块

Name: Infineon FF400R17KE4HOSA1 IGBT 硅模块 1700 V，400 A 双IGBT模块
Brand: Infineon

ModelFF400R17KE4HOSA1

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Technology: Si

Unit Weight: 340 g

Configuration: Dual

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V

Continuous Collector Current at 25 C: 400 A

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