Infineon FF225R65T3E3BPSA1 IGBT 硅模块 6500 V，225 A 双IGBT模块

Name: Infineon FF225R65T3E3BPSA1 IGBT 硅模块 6500 V，225 A 双IGBT模块
Brand: Infineon

ModelFF225R65T3E3BPSA1

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Technology: Si

Configuration: Dual

Pd - Power Dissipation: 1 MW

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 125 C

Minimum Operating Temperature: - 50 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 6.5 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V

Continuous Collector Current at 25 C: 225 A

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