Infineon FF600R12IP4V IGBT 硅模块 PP IHM I

Name: Infineon FF600R12IP4V IGBT 硅模块 PP IHM I
Brand: Infineon

ModelFF600R12IP4V

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Technology: Si

Unit Weight: 825 g

Configuration: Dual

Pd - Power Dissipation: 3.35 kW

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C: 600 A

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